什么是MOS管场效应？

 什么是场效应管呢？

管场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它是靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管。它区别晶体管，晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。又称 双极性晶体管。 

 一， MOS管的种类，1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。结型场效应管一般是耗尽型的。    

耗尽型的特点： 

a,PN结反向电压，这个怎么理解，就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN结，

b,未加栅压的时候，器件已经导通。要施加一定的负压才能使器件关闭。 

C,从原理上讲，漏极D和源极S不区分，即漏极也可作源极，源极也可以做漏极。漏源之间有导通电阻。    

2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 

增强型效应管特点： 

A,栅极和源极电压为0时，漏极电流为0的管子是增强型的。

B, 栅源电压，这个之间是个绝缘层，绝缘栅型一般用的是SIO2绝缘层。     

耗尽型绝缘栅场效应晶体管的性能特点是:当栅极电压U。=0时有一定的漏极电流。对于N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极