专注于电子领域的研发创新,为客户提供解决方案、产品和服务
畅销海内外,多道程序人工检测兼容稳定
济南固锝半导体有限公司(JGD)成立于1990年,位于中国山东省济南高新技术开发区同心工业园。其前身是拥有25年军工历史的济南半导体一厂(1965-1990)。JGD已经从最初的一家本地制造商成长为一家半导体行业的全球性公司。
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Bridge Rectifier
Zener Diode
Schottky Barrier Rectifier
ESD Protection Device
南京微盟电子有限公司(以下简称“微盟电子”)创建于1999年,是一家专业从事模拟集成电路芯片产品研究、开发及销售的高新技术企业。我们的产品目前已广泛应用于信息家电、无线通信、数字通讯和网络技术等多重领域。
微盟电子致力于开发电源管理类产品,主要包括LDO系列,DC/DC系列、LED DRIVER、AC/DC系列、锂电管理、电压检测系列、数模混合系列、音频功放IC系列等,并为电子设备的主芯片及相关器件提供优质、稳定的电源解决方案。
上海贝岭股份有限公司(以下简称“上海贝岭”或“公司”)成立于1988年,是国内集成电路行业的第一家中外合资企业。
苏州华芯微电子股份有限公司成立于2000年12月底,致力于集成电路领域产品的设计、开发与销售。华芯公司总部座落于苏州高新技术产业开发区,在深圳、宁波等地设有分公司和其他分支机构。
东微半导体成立于2008年,注册资本5053.2275万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。
为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡...
东微推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT产品,涵盖600V~1700V电压,可广泛应用于白色家电、新能源逆变器、汽车驱动等领域。
Hybrid-FET器件采用全新的器件结构和电流动态调整技术,结合了导通电流密度高与开关速度快的特点,可实现高速关断和大电流处理能力,具有更加宽广的安全工作区域和更高的产品稳定性。
耕源科技股份有限公司于2013/07成立于台湾新竹市,2014/03在台湾上市,2019/03达尔科技(SIODES,INC.)投资耕源科技成为最大股东,主要产品有AC/DC芯片,DC/DC芯片,协议快充IC等。
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(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值...
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2...
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器...
基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此时c、e间电阻值大则表明ICEO小...